Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NXH200T120H3Q2F2STG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NXH200T120H3Q2F2STG-DG
Περιγραφή:
80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
Λεπτομερής Περιγραφή:
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 330 A 679 W Chassis Mount 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Αποθέμα:
12979139
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NXH200T120H3Q2F2STG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
IGBTs, Μονάδες IGBT
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tray
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος IGBT
Trench Field Stop
Διαμόρφωση
Half Bridge
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
1200 V
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
330 A
Ισχύς - Μέγιστη
679 W
Vce(on) (μέγ.) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 200A
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500 µA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce
35.615 nF @ 25 V
Εισαγωγή
Standard
NTC Θερμίστορ
No
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
56-PIM/Q2PACK (93x47)
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
12
Άλλα ονόματα
488-NXH200T120H3Q2F2STG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NXH200T120H3Q2F2SG
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
36
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NXH200T120H3Q2F2SG-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
168.97
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NXH300B100H4Q2F2PG
MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
NXH300B100H4Q2F2S1G
PIM 1500V 250KW Q2BOOST
NXH200B100H4F2SG
1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
