NVR1P02T1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVR1P02T1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVR1P02T1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Αποθέμα:

5951 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12856917
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVR1P02T1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
165 pF @ 5 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
400mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3 (TO-236)
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVR1P02

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NVR1P02T1G-DG
NVR1P02T1GOSDKR
NVR1P02T1GOSCT
NVR1P02T1GOSTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTR1P02T3

MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3

renesas-electronics-america

RJK0452DPB-00#J5

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

renesas-electronics-america

RJK5020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 500V 40A TO3P

onsemi

RFD15P05SM

MOSFET P-CH 50V 15A TO252AA