Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVMYS9D3N06CLTWG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVMYS9D3N06CLTWG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Αποθέμα:
13001063
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVMYS9D3N06CLTWG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14A (Ta), 50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 35µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.6W (Ta), 46W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK4 (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1023, 4-LFPAK
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVMYS9D3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
488-NVMYS9D3N06CLTWGTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVBL099N65S3
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
PSMN4R5-80YSFX
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
GAN190-650EBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
