NVMYS2D1N04CLTWG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVMYS2D1N04CLTWG

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVMYS2D1N04CLTWG-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 29A (Ta), 132A (Tc) 3.9W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12857875
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVMYS2D1N04CLTWG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
29A (Ta), 132A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 90µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.9W (Ta), 83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK4 (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1023, 4-LFPAK
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVMYS2

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NVMYS2D1N04CLTWGCT
488-NVMYS2D1N04CLTWGTR
488-NVMYS2D1N04CLTWGDKR
NVMYS2D1N04CLTWG-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NDTL01N60ZT1G

MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223

infineon-technologies

IPI47N10SL26AKSA1

MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3

onsemi

NTD4910N-35G

MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK

onsemi

NTMFS5C404NLTT3G

MOSFET N-CH 40V 5DFN