NVMYS025N06CLTWG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVMYS025N06CLTWG

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVMYS025N06CLTWG-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

Αποθέμα:

5735 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12844123
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVMYS025N06CLTWG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 21A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 13µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.8W (Ta), 24W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK4 (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1023, 4-LFPAK
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVMYS025

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NVMYS025N06CLTWGOS
NVMYS025N06CLTWGOSTR
NVMYS025N06CLTWGOSDKR
NVMYS025N06CLTWGOS-DG
NVMYS025N06CLTWGOSCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRF614L

MOSFET N-CH 250V 2.7A TO262

onsemi

NVMFS5C410NLWFAFT3G

MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN

onsemi

NVMFS4C01NT1G

MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

onsemi

NTD32N06T4G

MOSFET N-CH 60V 32A DPAK