NVMTS1D2N08H
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVMTS1D2N08H

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVMTS1D2N08H-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 43.5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)

Αποθέμα:

12938876
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVMTS1D2N08H Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
43.5A (Ta), 337A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 590µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
147 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
10100 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
5W (Ta), 300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFNW (8.3x8.4)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVMTS1

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NVMTS1D2N08HDKR
NVMTS1D2N08H-DG
488-NVMTS1D2N08HCT
488-NVMTS1D2N08HTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRF630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

onsemi

NVMFS6H801NWFT1G

MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN

onsemi

NTP6412ANG

MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB

onsemi

NTMFS4C028NT3G

MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN