Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVMS5P02R2G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVMS5P02R2G-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 3.95A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
4555 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12843239
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVMS5P02R2G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.95A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.25V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1900 pF @ 16 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVMS5P02
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NVMS5P02R2GOSDKR
NVMS5P02R2G-DG
2156-NVMS5P02R2G-OS
NVMS5P02R2GOSTR
NVMS5P02R2GOSCT
ONSONSNVMS5P02R2G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSP316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
NDP6020P
MOSFET P-CH 20V 24A TO220-3
NVMYS1D3N04CTWG
TRENCH 6 40V SL NFET
