NVMJST0D9N04CTXG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVMJST0D9N04CTXG

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVMJST0D9N04CTXG-DG

Περιγραφή:

TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 531A (Tc) 555W (Tc) Surface Mount 10-TCPAK

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13002632
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVMJST0D9N04CTXG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
531A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.07mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 190µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
555W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
10-TCPAK
Συσκευασία / Θήκη
10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVMJST0D9

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NVMJST0D9N04CTXGTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
goford-semiconductor

G160N04K

MOSFET N-CH 40V 25A TO-252

nexperia

PMPB12R5UPEX

PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M

goford-semiconductor

GC041N65QF

MOSFET N-CH 650V 70A TO-247

goford-semiconductor

GT100N04D3

N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5