NVMFWS016N10MCLT1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVMFWS016N10MCLT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVMFWS016N10MCLT1G-DG

Περιγραφή:

PTNG 100V LL SO8FL
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 10.9A (Ta), 46A (Tc) 3.6W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Αποθέμα:

1500 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12986402
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVMFWS016N10MCLT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10.9A (Ta), 46A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 11A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 64µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1250 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.6W (Ta), 64W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN, 5 Leads

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
488-NVMFWS016N10MCLT1GDKR
488-NVMFWS016N10MCLT1GTR
488-NVMFWS016N10MCLT1GCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP31D7LT-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT523 T&R

diodes

DMN4020LFDEQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-

goford-semiconductor

GT100N12M

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

goford-semiconductor

G35N02K

N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18