Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVMFD5C650NLT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVMFD5C650NLT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Αποθέμα:
12843455
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVMFD5C650NLT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 98µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2546pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVMFD5
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
NVMFD5C650NLT1GOSCT
NVMFD5C650NLT1G-DG
NVMFD5C650NLT1GOSTR
NVMFD5C650NLT1GOSDKR
2832-NVMFD5C650NLT1G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSL214NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TSOP6-6
BSL215CH6327XTSA1
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
AON2801L#A
MOSFET 2P-CH 20V 3A 6DFN
