Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVMFD5875NLT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVMFD5875NLT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Αποθέμα:
12845300
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVMFD5875NLT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
33mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
20nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
540pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
3.2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVMFD5875
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
NVMFD5875NLT1GOSTR
NVMFD5875NLT1GOSCT
NVMFD5875NLT1GOSDKR
NVMFD5875NLT1G-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NVMFD5C680NLT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NVMFD5C680NLT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.64
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMNH6021SPD-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMNH6021SPD-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.44
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AO4619
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
AON6946
MOSFET 2N-CH 30V 14A/18A 8DFN
AO4952
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
