Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVJD5121NT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVJD5121NT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Αποθέμα:
4589 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12858499
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVJD5121NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
295mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
26pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
250mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88/SC70-6/SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVJD5121
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NVJD5121NT1G-DG
NVJD5121NT1GOSDKR
NVJD5121NT1GOSTR
NVJD5121NT1GOSCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMFD5C672NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
NTLGD3502NT2G
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
NVMFD5C462NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN