Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVHL080N120SC1
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVHL080N120SC1-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 44A (Tc) 348W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
390 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12843834
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVHL080N120SC1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
44A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
+25V, -15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1670 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
348W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVHL080
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
NVHL080N120SC1OS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MTW32N20E
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
NTJS4151PT1
MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
MTD3055VL
MOSFET N-CH 60V 12A TO252-3
