Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVH4L070N120M3S
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVH4L070N120M3S-DG
Περιγραφή:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 34A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Αποθέμα:
13256104
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVH4L070N120M3S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
34A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
87mOhm @ 15A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.4V @ 7mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1230 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
160W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
488-NVH4L070N120M3S
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTH4L070N120M3S
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
422
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTH4L070N120M3S-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
5.81
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT34N80LC3G
MOSFET N-CH 800V 34A TO264
NVH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
APTM10SKM05TG
MOSFET N-CH 100V 278A SP4