Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTZS3151PT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTZS3151PT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563
Αποθέμα:
17660 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12930487
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTZS3151PT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
860mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
458 pF @ 16 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
170mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-563
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTZS3151
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
NTZS3151PT1GOSTR
NTZS3151PT1GOSCT
ONSONSNTZS3151PT1G
NTZS3151PT1GOSDKR
2156-NTZS3151PT1G-OS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTH4L027N65S3F
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
AOTF42S60L
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3F
AON6160
MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
