Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTZD3155CT2G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTZD3155CT2G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Αποθέμα:
6012 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12842535
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTZD3155CT2G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
540mA, 430mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150pF @ 16V
Ισχύς - Μέγιστη
250mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-563
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTZD3155
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
NTZD3155CT2GOSCT
2832-NTZD3155CT2G
NTZD3155CT2GOSTR
NTZD3155CT2GOSDKR
NTZD3155CT2G-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMFD5877NLT3G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
NTMD4820NR2G
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
NTLJD3181PZTAG
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
