NTY100N10

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTY100N10

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTY100N10-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 123A TO264

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 100 V 123A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-264

Αποθέμα:

RFQ Online

12857340

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTY100N10 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

100 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

123A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

350 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

10110 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

313W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-264

Συσκευασία / Θήκη

TO-264-3, TO-264AA

Βασικός αριθμός προϊόντος

NTY100

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

25

Άλλα ονόματα

2156-NTY100N10-ON

ONSONSNTY100N10

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

RoHS non-compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

NTLJS4149PTBG

MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN

onsemi

NTB5605PT4G

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

onsemi

NVMYS011N04CTWG

MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK

NP82N04PUG(1)-E1B-AY

TRANSISTOR