Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTTS2P03R2G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTTS2P03R2G-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 2.1A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-MSOP
Αποθέμα:
12859119
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTTS2P03R2G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 2.48A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
500 pF @ 24 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
600mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-MSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTTS2P
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
=NTTS2P03R2GOSCT-DG
NTTS2P03R2GOSCT
NTTS2P03R2GOSTR
NTTS2P03R2GOS
NTTS2P03R2GOS-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7606TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8585
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7606TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXM64P03XTA
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1959
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXM64P03XTA-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.55
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTMFS4835NT1G
MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
NVMFS4C310NT1G
MOSFET N-CH 30V 17A/51A 5DFN
NTMFS4927NCT3G
MOSFET N-CH 30V 7.9A/38A 5DFN
