Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTTFD9D0N06HLTWG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTTFD9D0N06HLTWG-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 9A/38A 12WQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 9A (Ta), 38A (Tc) 1.7W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 12-WQFN (3.3x3.3)
Αποθέμα:
2869 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12938803
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTTFD9D0N06HLTWG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 50µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
948pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
1.7W (Ta), 26W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
12-PowerWQFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
12-WQFN (3.3x3.3)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTTFD9
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NTTFD9D0N06HLTWGDKR
488-NTTFD9D0N06HLTWGCT
488-NTTFD9D0N06HLTWGTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MTM763250LBF
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A WSMINI6
FC6943010R
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6
HAT2038RWS-E
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
