NTS4173PT1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTS4173PT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTS4173PT1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

Αποθέμα:

21570 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12938031
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTS4173PT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
430 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
290mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-70-3 (SOT323)
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTS4173

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NTS4173PT1GOSCT
NTS4173PT1GOSTR
NTS4173PT1G-DG
NTS4173PT1GOSDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AON6590A

MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN

onsemi

MGSF3442XT1

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

harris-corporation

RFL1N15

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

RJK6013DPP-00#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET