Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTS2101PT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTS2101PT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 8 V 1.4A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Αποθέμα:
6000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12856706
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTS2101PT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
8 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
640 pF @ 8 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
290mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-70-3 (SOT323)
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTS2101
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2156-NTS2101PT1G-OS
NTS2101PT1GOSCT
ONSONSNTS2101PT1G
NTS2101PT1GOSTR
NTS2101PT1GOSDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NDS0610_NL
MOSFET P-CH 60V 120MA SOT23-3
NTMFS5844NLT1G
MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
RJK6014DPK-00#T0
MOSFET N-CH 600V 16A TO3P
