Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTPF190N65S3H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTPF190N65S3H-DG
Περιγραφή:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 16A (Tj) 32W (Tc) Through Hole TO-220FP
Αποθέμα:
12992734
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTPF190N65S3H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Tj)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1.4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1600 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
32W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FP
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
488-NTPF190N65S3HTR-DG
488-NTPF190N65S3HCT-DG
488-NTPF190N65S3H
488-NTPF190N65S3HCTiNACTIVE
488-NTPF190N65S3HDKR-DG
488-NTPF190N65S3HDKR
488-NTPF190N65S3HDKRINACTIVE
488-NTPF190N65S3HCT
488-NTPF190N65S3HCTINACTIVE
488-NTPF190N65S3HTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMX3000ENEZ
PMX3000ENEZ
G16N03S
N30V, 16A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
FQNLNSOCTA
MOSFET N-CH
