Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTPF165N65S3H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTPF165N65S3H-DG
Περιγραφή:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220FP
Αποθέμα:
12964017
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTPF165N65S3H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
19A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1.6mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1808 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
33W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FP
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
488-NTPF165N65S3HCTINACTIVE
488-NTPF165N65S3H
488-NTPF165N65S3HDKR
488-NTPF165N65S3HTR
488-NTPF165N65S3HTR-DG
488-NTPF165N65S3HCT-DG
488-NTPF165N65S3HCT
488-NTPF165N65S3HDKR-DG
488-NTPF165N65S3HDKRINACTIVE
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
GC20N65F
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Goford Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
20000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
GC20N65F-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SUM70042E-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
SIHB053N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
FCPF360N65S3R0L-F154
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
