Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTP165N65S3H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTP165N65S3H-DG
Περιγραφή:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
523 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12950501
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTP165N65S3H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
19A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1.6mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1808 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
142W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
488-NTP165N65S3H
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
MSJP20N65A-BP
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Micro Commercial Co
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
30050
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
MSJP20N65A-BP-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.47
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTP067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTBGS002N06C
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
