Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTNS3A65PZT5GHW
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTNS3A65PZT5GHW-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Αποθέμα:
12972312
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTNS3A65PZT5GHW Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
281mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
44 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
155mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Συσκευασία / Θήκη
3-XFDFN
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2832-NTNS3A65PZT5GHW
488-NTNS3A65PZT5GHWTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJD25N06A-AU_L2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD50P04-AU_L2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5445-AU_R2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
