Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMYS2D2N06CLTWG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMYS2D2N06CLTWG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 185A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Αποθέμα:
12857226
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMYS2D2N06CLTWG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
31A (Ta), 185A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 180µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4850 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK4 (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1023, 4-LFPAK
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMYS2
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2832-NTMYS2D2N06CLTWGTR
NTMYS2D2N06CLTWG-DG
488-NTMYS2D2N06CLTWGTR
488-NTMYS2D2N06CLTWGDKR
488-NTMYS2D2N06CLTWGCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTLJS3113PTAG
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
NVATS4A101PZT4G
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
NTMFS4935NCT3G
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
