Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMYS021N06CLTWG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMYS021N06CLTWG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Αποθέμα:
3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12859747
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMYS021N06CLTWG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.8A (Ta), 27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 16µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
410 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.8W (Ta), 28W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LFPAK4 (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1023, 4-LFPAK
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMYS021
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NTMYS021N06CLTWGOSDKR
NTMYS021N06CLTWGOSCT
NTMYS021N06CLTWG-DG
2832-NTMYS021N06CLTWGTR
NTMYS021N06CLTWGOSTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTTFS4985NFTWG
MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
NTMFS5C442NT1G
MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
NP32N055SLE-E1-AZ
TRANSISTOR
