Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMTSC002N10MCTXG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMTSC002N10MCTXG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 45A (Ta), 236A (Tc) 9W (Ta), 255W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Αποθέμα:
804 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12948211
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMTSC002N10MCTXG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2mOhm @ 90A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 520µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6305 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
9W (Ta), 255W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TDFNW (8.3x8.4)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMTSC002
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NTMTSC002N10MCTXGTR
488-NTMTSC002N10MCTXGDKR
488-NTMTSC002N10MCTXGCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PMG85XP,115
NOW NEXPERIA PMG85XP - SMALL SIG
TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
STD15N60DM6
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
