Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMTS1D6N10MCTXG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMTS1D6N10MCTXG-DG
Περιγραφή:
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 36A (Ta), 273A (Tc) 5W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Αποθέμα:
2970 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12966315
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMTS1D6N10MCTXG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
36A (Ta), 273A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 650µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7630 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
5W (Ta), 291W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFNW (8.3x8.4)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NTMTS1D6N10MCTXGDKR
488-NTMTS1D6N10MCTXGTR
488-NTMTS1D6N10MCTXGCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NVMTS1D6N10MCTXG
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
9000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NVMTS1D6N10MCTXG-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI7840BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI5424DC-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK