Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMT185N60S5H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMT185N60S5H-DG
Περιγραφή:
SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 116W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)
Αποθέμα:
12971989
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMT185N60S5H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
15A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
185mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 1.4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1350 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
116W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-TDFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
4-PowerTSFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NTMT185N60S5HTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJL9433A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
APT12060LVRG
MOSFET N-CH 1200V 20A TO264
PJQ4463AP-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
