NTMT125N65S3H
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTMT125N65S3H

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTMT125N65S3H-DG

Περιγραφή:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12964910
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTMT125N65S3H Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
24A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 2.1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2200 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
171W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-TDFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
4-PowerTSFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NTMT125N65S3HTR
488-NTMT125N65S3HDKR
488-NTMT125N65S3HCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTBGS004N10G

POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS

panjit

PJA3456E_R1_00001

SOT-23, MOSFET

panjit

PJA3441_R1_00001

SOT-23, MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R204PL1,LQ

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ