Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMSD2P102R2
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMSD2P102R2-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12847805
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMSD2P102R2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
750 pF @ 16 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMSD2
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
ONSONSNTMSD2P102R2
2156-NTMSD2P102R2
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
CPH6442-TL-W
MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH
FDMC8878_F126
MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
NTB85N03
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
