NTMS4177PR2G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTMS4177PR2G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTMS4177PR2G-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 6.6A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

6988 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848627
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTMS4177PR2G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3100 pF @ 24 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
840mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMS41

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NTMS4177PR2GDKR
NTMS4177PR2GCT
NTMS4177PR2G-DG
Q7458880ZZ
NTMS4177PR2GTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AON7412

MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AON2400

MOSFET N-CH 8V 8A 6DFN

onsemi

NVMFS5C670NLT3G

MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOWF412

MOSFET N-CH 100V 7.8A/30A