NTMJS2D5N06CLTWG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTMJS2D5N06CLTWG

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTMJS2D5N06CLTWG-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 3.9A/113A 8LFPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 3.9A (Ta), 113A (Tc) 3.9W (Ta), 113A (Tc) Surface Mount 8-LFPAK

Αποθέμα:

12856806
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTMJS2D5N06CLTWG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.9A (Ta), 113A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 135µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.9W (Ta), 113A (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-LFPAK
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1205, 8-LFPAK56
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMJS2

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NTMJS2D5N06CLTWGDKR
NTMJS2D5N06CLTWG-DG
488-NTMJS2D5N06CLTWGCT
488-NTMJS2D5N06CLTWGTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTF6P02T3G

MOSFET P-CH 20V 10A SOT223

onsemi

NTE4153NT1G

MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3

onsemi

NTLGF3402PT2G

MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN

onsemi

NTMFS5834NLT1G

MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN