Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMJS0D9N03CGTWG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMJS0D9N03CGTWG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V LFPAK8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 50A (Ta), 315A (Tc) 3.9W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Αποθέμα:
12972780
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMJS0D9N03CGTWG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Ta), 315A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 200µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
131.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9550 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.9W (Ta), 150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-LFPAK
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1205, 8-LFPAK56
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NTMJS0D9N03CGTWGTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJQ5476AL_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJW7N06A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IRF640PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
