NTMFS6H852NT1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTMFS6H852NT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTMFS6H852NT1G-DG

Περιγραφή:

TRENCH 8 80V NFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Αποθέμα:

12979198
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTMFS6H852NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 45µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
760 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.6W (Ta), 54W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN, 5 Leads

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
488-NTMFS6H852NT1GTR
488-NTMFS6H852NT1GCT
488-NTMFS6H852NT1GDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP3097L-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

onsemi

NTTFS6H854NTAG

TRENCH 8 80V NFET

diodes

DMT10H009SK3-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R