NTMFS5C612NT1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTMFS5C612NT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTMFS5C612NT1G-DG

Περιγραφή:

NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 35A (Ta), 230A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Αποθέμα:

13269952
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTMFS5C612NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
35A (Ta), 230A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
60.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4830 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
-
Προσόν
-
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN, 5 Leads

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
488-NTMFS5C612NT1GTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
good-ark-semiconductor

GSFD6046

MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60

good-ark-semiconductor

SSF2307

MOSFET, P-CH, SINGLE, -6.50A, -2

good-ark-semiconductor

GSJU6520

MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65

good-ark-semiconductor

GSFC4050

MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V