NTMFS4C810NAT3G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTMFS4C810NAT3G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTMFS4C810NAT3G-DG

Περιγραφή:

TRENCH 6 30V NCH
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 8.2A (Ta), 46A (Tc) 750mW (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Αποθέμα:

12969754
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTMFS4C810NAT3G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Last Time Buy
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.2A (Ta), 46A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.88mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
987 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
750mW (Ta), 23.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN, 5 Leads

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
488-NTMFS4C810NAT3GCT
488-NTMFS4C810NAT3GTR
488-NTMFS4C810NAT3GDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVH4L018N075SC1

SIC MOS TO247-4L 750V

renesas-electronics-america

UPA2762UGR-E1-AT

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

AUXYBFP3306

MOSFET N-CH 60V TO-247AC

onsemi

NVMYS1D6N04CLT1G

T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK