Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMFS4C09NT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMFS4C09NT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Αποθέμα:
5433 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12858532
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMFS4C09NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1252 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN, 5 Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMFS4
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
NTMFS4C09NT1GOSTR
NTMFS4C09NT1GOSDKR
NTMFS4C09NT1G-DG
ONSNTMFS4C09NT1G
NTMFS4C09NT1GOSCT
2156-NTMFS4C09NT1G-OS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPB021N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
NTMFS4C09NAT1G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
IPP027N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
