Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMFS4825NFET1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMFS4825NFET1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 171A (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Αποθέμα:
12930602
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMFS4825NFET1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Ta), 171A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2mOhm @ 22A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5660 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN, 5 Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMFS4
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
NTMFS4825NFET1GOSDKR
2156-NTMFS4825NFET1G-ONTR-DG
ONSONSNTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1GOSCT
NTMFS4825NFET1GOSTR
2156-NTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1G-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQPF2NA90
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
AO3418L
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
FDP18N20F
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
