NTMFD4C86NT1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTMFD4C86NT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTMFD4C86NT1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)

Αποθέμα:

12847842
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTMFD4C86NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.3A, 18.1A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1153pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
1.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN (5x6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMFD4

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
ONSONSNTMFD4C86NT1G
NTMFD4C86NT1GOSCT
NTMFD4C86NT1GOSTR
NTMFD4C86NT1GOSDKR
NTMFD4C86NT1G-DG
2156-NTMFD4C86NT1G-ONTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVMD6N03R2G

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

onsemi

NTLJD3183CZTAG

MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN

onsemi

FDG6304P

MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88

onsemi

FDMA1024NZ

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET