Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMFD4C85NT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMFD4C85NT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Αποθέμα:
12857239
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMFD4C85NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
15.4A, 29.7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
32nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1960pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
1.13W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN (5x6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMFD4
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
NTMFD4C85NT1GOSTR
2156-NTMFD4C85NT1G-ONTR-DG
2156-NTMFD4C85NT1G
NTMFD4C85NT1G-DG
NTMFD4C85NT1GOSCT
ONSONSNTMFD4C85NT1G
NTMFD4C85NT1GOSDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC0921NDIATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
13276
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC0921NDIATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.64
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMFD5C462NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
UPA1764G-E1-A
MOSFET
NTHD4502NT1
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
