Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMFD0D9N02P1E
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMFD0D9N02P1E-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V, 25V 14A (Ta), 30A (Ta) 960mW (Ta), 1.04W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Αποθέμα:
12989527
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMFD0D9N02P1E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V, 25V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14A (Ta), 30A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V, 0.72mOhm @ 41A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9nC, 30nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Ισχύς - Μέγιστη
960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMFD0D9
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
488-NTMFD0D9N02P1ETR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFI4020H-117PXKMA1
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
TSM2N7002AKDCU6 RFG
MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363
BUK7V4R2-40HX
MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
