NTMD5836NLR2G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTMD5836NLR2G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTMD5836NLR2G-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 9A, 5.7A 1.5W Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

12844987
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTMD5836NLR2G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A, 5.7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
50nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2120pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
1.5W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMD58

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
2156-NTMD5836NLR2G-ONTR-DG
2156-NTMD5836NLR2G
ONSONSNTMD5836NLR2G
NTMD5836NLR2GOSCT
NTMD5836NLR2G-DG
NTMD5836NLR2GOSTR
NTMD5836NLR2GOSDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AON6918

MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN

infineon-technologies

BSD223P

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

alpha-and-omega-semiconductor

AON5820_101

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AON6980

MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN