Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMD2C02R2G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMD2C02R2G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12857787
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMD2C02R2G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.2A, 3.4A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1100pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMD2C
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
2156-NTMD2C02R2G-ONTR
ONSONSNTMD2C02R2G
NTMD2C02R2GOS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTLUD4C26NTAG
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A 6UDFN
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
NTMD2C02R2SG
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
