Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTLJS2103PTBG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTLJS2103PTBG-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 12 V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Αποθέμα:
12842139
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTLJS2103PTBG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
µCool™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
800mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1157 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
700mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-WDFN (2x2)
Συσκευασία / Θήκη
6-WDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTLJS2103
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
ONSONSNTLJS2103PTBG
NTLJS2103PTBGOSDKR
NTLJS2103PTBGOSTR
2156-NTLJS2103PTBG-OS
NTLJS2103PTBG-DG
NTLJS2103PTBGOSCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMFS4C05NWFT1G
MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
NTD4858N-1G
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
NVMFSW6D1N08HT1G
MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
