Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTJS4151PT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTJS4151PT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Αποθέμα:
10423 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12841944
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTJS4151PT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
850 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88/SC70-6/SOT-363
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTJS4151
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2156-NTJS4151PT1G-OS
ONSONSNTJS4151PT1G
NTJS4151PT1GOSTR
NTJS4151PT1GOSCT
NTJS4151PT1GOS
NTJS4151PT1GOS-DG
NTJS4151PT1GOSDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NDD60N360U1-35G
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
BSS83PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
