NTJD4152PT1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTJD4152PT1

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTJD4152PT1-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 880mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Αποθέμα:

12847463
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTJD4152PT1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
880mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
260mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
155pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
272mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88/SC70-6/SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTJD4152

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD4152PT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15411
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD4152PT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FD6M043N08

MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15

onsemi

FDD8424H-F085A

MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252

onsemi

FDS4885C

MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC

onsemi

FDSS2407

MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC