NTJD4001NT1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTJD4001NT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTJD4001NT1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 250mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Αποθέμα:

34129 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12844052
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTJD4001NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
250mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.3nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
33pF @ 5V
Ισχύς - Μέγιστη
272mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88/SC70-6/SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTJD4001

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NTJD4001NT1GOS-DG
2832-NTJD4001NT1GTR
NTJD4001NT1GOS
NTJD4001NT1GOSTR
NTJD4001NT1GOSDKR
NTJD4001NT1GOSCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVMFD5C470NWFT1G

MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN

onsemi

NTJD4401NT1G

MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

onsemi

NVMFD5483NLT3G

MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

onsemi

NDS9947

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8SOIC