NTHS2101PT1G

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTHS2101PT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTHS2101PT1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

Λεπτομερής Περιγραφή:

P-Channel 8 V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™

Αποθέμα:

RFQ Online

12848968

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTHS2101PT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

P-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

8 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

5.4A (Tj)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

1.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

30 nC @ 4.5 V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

2400 pF @ 6.4 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.3W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

ChipFET™

Συσκευασία / Θήκη

8-SMD, Flat Lead

Βασικός αριθμός προϊόντος

NTHS21

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

NTHS2101PT1G-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

NTHS2101PT1GOS-DG

NTHS2101PT1GOSCT

NTHS2101PT1GOSTR

=NTHS2101PT1GOSCT-DG

NTHS2101PT1GOS

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDA24N40F

MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN

onsemi

FDI045N10A-F102

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AO6424A

MOSFET N-CH 30V 6.5A 6TSOP

onsemi

FQAF5N90

MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF